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三菱電機開始發(fā)售“X系列HVIGBT模塊”
三菱電機開始發(fā)售“X系列HVIGBT模塊”
憑借業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的高功率密度以及高工作溫度，為逆變器的大容量、小型化做貢獻
三菱電機株式會社將于11月30日開始發(fā)售“X系列HVIGBT※2 模塊”，這是一款新開發(fā)的功率半導(dǎo)體模塊，額定規(guī)格為6.5kV/1000A，工作溫度為150℃，達到了業(yè)界頂級水平※1。 該產(chǎn)品耐壓高，電流大，廣泛適用于鐵路牽引、直流輸電以及大型工業(yè)設(shè)備的逆變器設(shè)計。
※1 截至2015年9月29日，根據(jù)本公司的調(diào)查
※2 High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高壓絕緣柵型雙極晶體管
X系列HVIGBT模塊（CM1000HG-130XA）
新產(chǎn)品的特點
1．額定規(guī)格6.5kV/1000A，業(yè)界最大，易于實現(xiàn)逆變器的大容量化
?采用三菱CSTBTTM※5 結(jié)構(gòu)的第7代IGBT和RFC二極管※4 ，與以往產(chǎn)品相比※5，功率損耗降低
約20％，熱阻降低約10％※5
?因功率損耗與熱阻降低，在保持與以往產(chǎn)品※6 相同封裝的前提下，額定電流從750A提升到
1000A，為逆變器的大容量化做貢獻
※3 載流子存儲式溝槽柵型雙極晶體管
※4 Relaxed Field of Cathode：本公司獨有二極管，提高了陰極側(cè)電子遷移率
※5 將CM750HG-130R與第7代IGBT進行比較的情況
※6 CM600HG-130H、CM750HG-130R
2．在世界上首次實現(xiàn)＋150℃的工作保證溫度，為逆變器的小型化做貢獻
?通過采用第7代IGBT和RFC二極管※4 及溫度特性更好的封裝材料，在耐壓6.5kV的條件下，在世界上首次實現(xiàn)了150℃的工作保證溫度，達到業(yè)界最高水平※1
?由于可在高溫下使用，因此逆變器冷卻系統(tǒng)得到了簡化，有利于逆變器的小型化，提高了設(shè)計的自由度
3．確保與以往產(chǎn)品外形封裝兼容，有助于縮短逆變器的研發(fā)時間
?確保外形封裝尺寸、輸出端子的配置等與以往產(chǎn)品※6兼容，從而便于替換升級，有助于縮短逆變器的研發(fā)時間。
發(fā)售概要
銷售目標
三菱電機的“HVIGBT”模塊自1997年實現(xiàn)產(chǎn)品化以來，以其優(yōu)異的性能和高可靠性獲得好評，被廣泛應(yīng)用于鐵路車輛牽引系統(tǒng)、直流輸電設(shè)備以及大型工業(yè)設(shè)備等的逆變器。
近年來，由于人們環(huán)保意識提高，對逆變器的大容量化、高效率化以及高可靠性要求越來越高。
為了滿足上述市場需求，本公司此次將發(fā)售“X系列HVIGBT模塊”，該產(chǎn)品通過采用三菱第7代IGBT和RFC二極管，降低了功率損耗與熱阻，易于實現(xiàn)逆變器的大容量化和小型化。
我們首先將推出耐壓6.5kV的產(chǎn)品，今后還將增加3.3kV和4.5kV產(chǎn)品，擴大產(chǎn)品陣容，為逆變器的大容量、小型化做貢獻。
主要規(guī)格
項目 | 新HVIGBT模塊 | 以往HVIGBT模塊 | |
CM1000HG-130XA | CM750HG-130R | ||
最大集電極與發(fā)射極間阻斷電壓 | 6.5 kV | 6.5 kV | |
集電極電流 | 1000 A | 750 A | |
工作保證溫度范圍 | ?50 ℃～ +150 ℃ | ?50 ℃ ～ +125 ℃ | |
IGBT | 集電極與發(fā)射極間飽和電壓※7 | 3.6 V | 5.5 V |
熱阻 | 11.0 K/kW | 12.0 K/kW | |
二極管 | 正向電壓降※7 | 3.0 V | 4.0 V |
熱阻 | 17.0 K/kW | 22.0 K/kW | |
※7 Tj=125°C、IC（IE）=1000A、標準值
商標
CSTBT是三菱電機株式會社的注冊商標。
制作工廠
三菱電機株式會社 功率器件制作所
〒819-0192 福岡縣福岡市西區(qū)今宿東一丁目1番1號